Молодой учёный Чебоксарского политехнического института принял участие в работе XIII Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложение волновых процессов»

28.09.2015

СтепановАВ сЗаведующий лабораторией «Наноматериалы и нанотехнологии» Чебоксарского политехнического института Антон Степанов принял участие в работе  XIIIМеждународной научно-технической конференции «Физика и технические приложение волновых процессов», состоявшемся  с 21 по 25 сентября в г. Казани.

Антоном Степановым были представлены два доклада: «Компьютерное моделирование генерации, распространения и действия гиперзвуковых волн КВЧ-диапазона на точечные дефекты

в системе «нанокристаллический SiO2 (естественный окисел) – кремний» при облучении светом – к механизму эффекта дальнодействия» в соавторстве с Давидом  Тетельбаумом и «Расчет влияния возмущений стенки углеродной нанотрубки на каналирование в ней медленных атомных частиц».

Первый доклад полностью посвящен развитию моделей эффекта дальнодействия и подтверждению его основных гипотез. Эффект дальнодействия был обнаружен в ходе экспериментов в Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского. Выяснилось, что облучение светом меняет микротвердость образцов кремния на стороне противоположной облучаемой либо в экранированной части облученной поверхности. Необходимым условием существования в случае облучения светом ЭД является наличие тонкого диэлектрического слоя, например,  естественного оксида кремния. В предыдущих работах молодым учёным был предложен механизм ЭД на основе генерации акустических волн, которые трансформируют систему дефектов вне зоны непосредственного выделении энергии при облучении.

Второй доклад является продолжением серии работ по взаимодействию иона с возмущением стенки углеродной нанотрубки (УНТ),  которое было ранее произведено воздействием иона на стенку нанотрубки. В результате моделирования было показано, что потери энергии ионом при каналировании в УНТ уменьшаются при синфазном движении иона и возмущения стенки нанотрубки по сравнении с движением иона в невозмущенной нанотрубке.